一种CMOS带隙基准电压源

	一种CMOS带隙基准电压源
	张君宇; 刘明; 潘立阳; 谢常青; 霍宗亮; 张满红; 刘阿鑫; 陈映平
	2014-08-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110204365.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路，版图上占用面积会显著减小，结构简单，需要规避的风险更小，有助于提高产品良率；同时由于没有运算放大器，也不会受到运算放大器的失调影响，有利于精度的提高。
公开日期	2013-01-23
申请日期	2011-07-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14825]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张君宇,刘明,潘立阳,等. 一种CMOS带隙基准电压源. CN201110204365.2. 2014-08-13.