一种制作复合半导体薄膜材料的方法

	一种制作复合半导体薄膜材料的方法
	谢常青; 汪幸; 刘明; 周文; 侯成诚; 李冬梅; 霍宗亮; 闫学锋
	2014-05-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010247619.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H2S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H2S气体的灵敏度与选择性。
公开日期	2012-03-14
申请日期	2010-08-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12934]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,汪幸,刘明,等. 一种制作复合半导体薄膜材料的方法. CN201010247619.4. 2014-05-28.