DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度 | |
李晓静; 韩郑生; 罗家俊; 高林春; 曾传滨; 王芳芳 | |
刊名 | 微电子学与计算机 |
2018-07-05 | |
文献子类 | 期刊论文 |
英文摘要 | 直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考. |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18922] |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓静,韩郑生,罗家俊,等. DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度[J]. 微电子学与计算机,2018. |
APA | 李晓静,韩郑生,罗家俊,高林春,曾传滨,&王芳芳.(2018).DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度.微电子学与计算机. |
MLA | 李晓静,et al."DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度".微电子学与计算机 (2018). |
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