一种限制器件模型适用温度范围的方法

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	一种限制器件模型适用温度范围的方法
	卜建辉; 赵博华; 罗家俊; 韩郑生
	2018-11-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510351261.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种限制器件模型适用温度范围的方法，包括：a)在器件模型中加入温度判断参数；b)设置器件正常工作的温度范围；c)将器件正常工作的温度范围设置为温度判断参数的范围，当仿真温度处于温度范围之内时，此参数为1，当仿真温度处于温度范围之外时，此参数为-1。d)设置器件的固有参数与温度判断参数相关。本发明所采用的限制器件模型适用温度范围的方法通过温度判断参数把温度信息传递到器件尺寸上，有效的对仿真中器件模型的适用温度范围加以限制，而且可以人为的方便的缩小器件模型的可使用温度范围。
公开日期	2015-10-21
申请日期	2015-06-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18598]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卜建辉,赵博华,罗家俊,等. 一种限制器件模型适用温度范围的方法. CN201510351261.2. 2018-11-27.