一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法

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	一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法
	刘鑫; 赵发展; 韩郑生
	2018-10-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210559913.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为擦洗第二部分；依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗；利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。本发明提供的擦洗方法，解决了现有的擦洗方法存在的擦洗效率低、没有有效利用SEC电路的问题。
公开日期	2013-05-22
申请日期	2012-12-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18596]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘鑫,赵发展,韩郑生. 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法. CN201210559913.8. 2018-10-30.