一种SRAM灵敏放大器电路
 刘海南; 宿晓慧;  罗家俊;  韩郑生;  郝乐;  李欣欣
2018-05-01
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN201510202659.X
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种改进型STRONG ARM型锁存器型灵敏放大器电路,该单元包括以下结构:四个PMOS管100,101,106,107,五个NMOS管102,103,104,105和108。其中100和102的栅端连接输出信号DB,漏端连接输出信号DA。101和103的栅端连接DA,漏端连接DB,100和101的源端接电源。102的源端接104的漏端以及106的栅端和漏端,103的源端接105的漏端以及107的栅端和漏端。104,105,106,107的源端均接108的漏端,108的栅端接使能信号SEN。所有PMOS管衬底接电源,NMOS管衬底接地。本发明通过增加两个PMOS管,进一步增加了正反馈能力,有利于提高电荷泄放速度,从而在保持低功耗的前提下加快了灵敏放大器的读出速度。

公开日期2015-07-22
申请日期2015-04-24
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18583]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
 刘海南,宿晓慧, 罗家俊,等. 一种SRAM灵敏放大器电路. CN201510202659.X. 2018-05-01.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace