| Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission | |
Han ZS(韩郑生) ; Gao JT(高见头); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Li BH(李彬鸿)
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| 2017-08-03 | |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18254]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZS,Gao JT,Li B,et al. Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission[C]. 见:. |
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