PDSOI 8K×8 SRAM 剂量率效应激光模拟研究

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	PDSOI 8K×8 SRAM 剂量率效应激光模拟研究
	赵发展; 韩郑生; 刘刚; 刘梦新; 曾传滨
	2011-11-01
英文摘要	利用西北核技术研究所波长为1064nmYAG激光器对中国科学院微电子研究所的3种不同条件下的PDSOI 8K×8SRAM进行了剂量率模拟实验，实验结果表明SRAM电路电源/地间并联电容能够有效提高电路的反转阈值，多电源/地封装可以抑制SRAM翻转数目随激光功率增强而增加的速度，测试电压的高低对SRAM的翻转有一定影响作用。
会议录	第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13464]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵发展,韩郑生,刘刚,等. PDSOI 8K×8 SRAM 剂量率效应激光模拟研究[C]. 见:.