低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

	低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射
	赵红赟; 陈燕红; 刘会平; 郭义盼; 杨治虎; 徐秋梅
刊名	物理学报
	2018
卷号	67 页码:60-67
英文摘要	实验中测量了0.38V_(Bohr)(460 keV)高电荷态Xe~(q+)(4≤q≤20)离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和XeⅢ谱线.研究了谱线XeⅡ410.419,XeⅢ430.444,XeⅡ434.200,XeⅡ486.254,NiⅠ498.245,NiⅠ501.697,NiⅠ503.502,NiⅠ505.061和NiⅠ508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.186/handle/113462/59818]
专题	近代物理研究所_实验物理中心
作者单位	(1)中国科学院近代物理研究所;(2)中国科学院大学;(3)南京航空航天大学航天学院
推荐引用方式 GB/T 7714	赵红赟,陈燕红,刘会平,等. 低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射[J]. 物理学报,2018,67:60-67.
APA	赵红赟,陈燕红,刘会平,郭义盼,杨治虎,&徐秋梅.(2018).低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射.物理学报,67,60-67.
MLA	赵红赟,et al."低速Xe~(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射".物理学报 67(2018):60-67.