| Effect of Flow Rate and Precursor Sublimation Temperature on the LPCVD Growth of Hexagonal Boron Nitride | |
| Zhang, Dujiao; Meng, Guodong; Wang, Kejing; Gao, Xinyu; Dong, Chengye; Wu, Feihong; Cheng, Yonghong | |
| 2018 | |
| 关键词 | breakdown strength CVD electrochemical polished synthesis h-BN 2D material |
| 页码 | 4 |
| 会议录 | 2018 IEEE 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON DIELECTRICS (ICD)
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2829353 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Dujiao,Meng, Guodong,Wang, Kejing,et al. Effect of Flow Rate and Precursor Sublimation Temperature on the LPCVD Growth of Hexagonal Boron Nitride[C]. 见:. |
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