2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战

doi:10.3969/j.issn.0368-6396.2016.02.003

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战
	彭练矛
刊名	科学（上海）
	2016
关键词	电子学碳纳米管电子学纳米电子学国际半导体技术路线图碳基集成电路 CMOS技术
DOI	10.3969/j.issn.0368-6396.2016.02.003
英文摘要	硅基CMOS技术将在2020年达到其性能极限.国际半导体技术路线图委员会推荐碳基纳电子学(包括碳纳米管和石墨烯)作为可能在未来5～ 10年显现商业价值的下一代电子技术.本文将对碳纳米管电子学的优势进行简要的介绍,并着重对碳纳米管电子学所面临的主要挑战及解决途径进行论述.集成电路芯片是现代信息技术的基石.现代电子芯片组成器件中约90％源于硅基互补金属一氧化物一半导体(complementary metal oxide semicon-ductor,CMOS)器件.经过半个世纪的快速发展,硅基CMOS技术已经走到了14纳米技术节点,即将进入10纳米节点,并将在2020年达到其性能极限.硅基CMOS技术的局限硅基CMOS技术的核心是高性能电子型和空穴型场效应晶体管(field effect transistor,FET)的制备,以及这两种互补场效应晶体管的集成.; 2; 11-15; 68
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/442621]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	彭练矛. 2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战[J]. 科学（上海）,2016.
APA	彭练矛.(2016).2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战.科学（上海）.
MLA	彭练矛."2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战".科学（上海） (2016).