医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计

doi:10.3969/j.issn.1681-5289.2012.12.053

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计; Ultra-low Power Inductor-Sharing RF Front-end for Medical Endoscope Applications
	李琛 ; 赵宇航 ; 陈龙 ; 刘军华 ; 廖怀林
刊名	中国集成电路
	2012
关键词	射频前端超低功耗电感复用电流复用 RF Front-end Ultra-low Power Inductor Sharing Current Reusehttp://www.cicmag.com
DOI	10.3969/j.issn.1681-5289.2012.12.053
英文摘要	本文阐述了一种应用于医疗探测的工作在407～425MHz频段的电感复用射频前端芯片。本射频前端芯片由超低功耗电流复用LNA、Mixer和高发射效率PA构成。本文提出了一种新型的电感复用射频前端结构，通过接收机和发射机输入输出共用电感，不仅有效避免了双工器的使用降低了芯片成本，而且节省了片外元件的数量，满足了高集成度的应用要求。该射频前端芯片在0．18μm标准CMOS工艺下进行了流片，芯片面积0．43mm2。作为接收机和发射机使用时，射频前端功耗分别为0．45mA和1．53mA，是一款超低功耗、高集成度的射频前端芯片。; This paper presents an ultra-low power inductor-sharing 407-425MHz RF front-end ( FE ) chipset for medical applications. The RF FE is composed of the ultra-low power current-reuse LNA PA. By sharing an inductor for both receiver and transmitter, a novel inductor-reuse RF save the use of T/R switch, which saves the cost of chip and meets the requirement of high implemented in a standard 0.18 μ m CMOS process with chip area of 0.43mm2.The powe , Mixer and high-efficient FE structure is proposed to integration. The RF FE is r consumption of RF FE is 0.45mA and 1.53mA, respectively, which demonstrates an ultra-low power, high-integration RF FE; 0; 12; 50-56,61
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/238154]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	李琛,赵宇航,陈龙,等. 医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计, Ultra-low Power Inductor-Sharing RF Front-end for Medical Endoscope Applications[J]. 中国集成电路,2012.
APA	李琛,赵宇航,陈龙,刘军华,&廖怀林.(2012).医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计.中国集成电路.
MLA	李琛,et al."医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计".中国集成电路 (2012).