Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析

doi:10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.005

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析; Analysis and Optimization of Sub-100 nm NMOS with Halo
	汪洋 ; 王兵冰 ; 黄如 ; 张兴
刊名	固体电子学研究与进展
	2006
关键词	Halo 短沟道效应离子注入掺杂分布
DOI	10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.005
英文摘要	短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100 nm后必须面对的关键挑战之一.Halo结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能.文中采用器件和工艺模拟工具ISE-TCAD研究形成Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化.分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效抑制SCE、DIBL效应,但同时也会部分地降低驱动能力,即Halo注入参数对器件性能的影响不是简单的线性关系,需要根据具体条件寻求优化值.; 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 4; 445-449; 26
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/215737]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	汪洋,王兵冰,黄如,等. Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析, Analysis and Optimization of Sub-100 nm NMOS with Halo[J]. 固体电子学研究与进展,2006.
APA	汪洋,王兵冰,黄如,&张兴.(2006).Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析.固体电子学研究与进展.
MLA	汪洋,et al."Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析".固体电子学研究与进展 (2006).