| 金箔上直接化学气相沉积法合成二硫化钼/六方氮化硼范德华异质结 | |
| 张哲朋 ; 张艳锋 ; 刘忠范 | |
| 2016 | |
| 关键词 | 二硫化钼 六方氮化硼 范德华异质结 化学气相沉积 |
| 英文摘要 | 六方氮化硼(h-BN)可有效隔绝基底/环境对二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)的电子掺杂作用,从而使其表现出高的载流子迁移率及更加本征的物理性质。我们选择金箔为基底~[1],利用低压化学气相沉积法(LPCVD),先在金箔上直接生长了满层覆盖的高质量h-BN,然后在h-BN/Au上直接生长了亚单层甚至是满层的MoS~(-2)。对比h-BN上的MoS_2与金箔上直接生长的MoS_2的拉曼和荧光光谱发现,前者E_(2g)峰蓝移约1.1cm~(-1)且在676.5nm(对应直接带隙~1.83eV)处有较强荧光峰,这表明前者与基底相互作用力更弱,更接近悬浮的单层MoS_2~[2]。更重要的是,该异质结构可通过电化学鼓泡法从金箔转移至其它任意基底,转移后的扫描透射电子显微镜(STEM)表征显示,h-BN上CVD生长的MoS_2高质量无缺陷,部分MoS_2畴区会出现边缘重叠的现象,这也从侧面说明MoS_2与h-BN的界面作用力较弱。该研究为直接生长其它TMDCs/h-BN范德华异质结构提供了重要的参考。; 中国化学会; 1 |
| 语种 | 英语 |
| 出处 | 中国化学会第30届学术年会-第四十一分会：纳米材料与器件 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/482995]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 工学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张哲朋,张艳锋,刘忠范. 金箔上直接化学气相沉积法合成二硫化钼/六方氮化硼范德华异质结. 2016-01-01. |
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