强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态

doi:10.3866/PKU.WHXB201705171

CORC > 北京大学 > 化学与分子工程学院

	强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态; Irreparable Defects Produced by the Patching of h-BN Frontiers on Strongly Interacting Re(0001) and Their Electronic Properties
	吴凯
刊名	物理化学学报
	2017
关键词	防氧化涂层强界面原子级电子态原子晶体交替连接石墨烯蜂窝状热性 h-BN/Re HEXAGONAL BORON-NITRIDE SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY GRAPHENE BOUNDARY
DOI	10.3866/PKU.WHXB201705171
英文摘要	<正>六方氮化硼(h-BN)是以硼原子(B)与氮原子(N)交替连接形成的蜂窝状二维原子晶体,作为二维材料家族中唯一的宽带隙绝缘体(~5.8 eV),具有优异的导热性、良好的透光性、稳定的化学性质以及原子级平整的表面,这使其在光发射器件、透明电子学器件、防氧化涂层等领域具有非常广阔的应用前景~(1–4)。h-BN与石墨烯(G)具有相似的晶体结构,却具有完全不同的电子结构,前者是宽; SCI(E); 08; 1510-1511; 33
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/464329]
专题	化学与分子工程学院
推荐引用方式 GB/T 7714	吴凯. 强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态, Irreparable Defects Produced by the Patching of h-BN Frontiers on Strongly Interacting Re(0001) and Their Electronic Properties[J]. 物理化学学报,2017.
APA	吴凯.(2017).强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态.物理化学学报.
MLA	吴凯."强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态".物理化学学报 (2017).