| STM热化学烧孔方式的信息存储--写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响; STM Thermochemical Hole Burning Memory——Influence of Pulse Voltage and Duration on Hole Size | |
| 雷晓钧 ; 陈海峰 ; 刘忠范 | |
| 2001 | |
| 关键词 | STM THB STM data storage thermochemical hole burning THB 信息存储 热化学成孔 |
| 英文摘要 | 以扫描探针显微技术(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年的研究热点. 前文［1］利用STM针尖在TEA(TCNQ)2单晶上施加电压脉冲，得到了超高密度信息孔点阵，提出了热化学烧孔方式的STM信息存储技术, 在STM扫描成像的过程中，隧道电流会流经样品，产生焦尔热. 但通常扫描成像过程中的隧穿电流较小，焦耳热也较小. 如能找到一种二元复合材料，一组分沸点较低，且与另一组分的结合能较弱，当足够大的电流流经时，所产生的焦耳热可能使低沸点的组分气化逸出，在样品表面形成纳米尺度的信息点. 我们称这种存储模式为热化学烧孔方式的STM存储. 基于这一思想，我们选择电荷转移复合物TEA(TCNQ)2作为存储材料，用STM写下了纳米级的信息孔. 本文通过改变写入电压脉冲的脉幅和脉宽，控制孔的大小，并对孔大小与脉冲电压的关系进行了理论推导和分析.; Recently we reported STM THB(Thermochemical Hole Burning) Data Storage. Here we study the influence of pulse voltage and duration on hole size. It is demonstrated that with the increase of pulse voltage and duration, the hole size increases correspondingly. Furthermore, theoretical analysis was conducted, which was successfully used to interpret our experimental results.; 国家自然科学基金; 国家自然科学基金; 国家自然科学基金; SCI(E); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 2; 7; 1222-1224; 22 |
| 语种 | 中文 |
| 出处 | 万方 ; SCI ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gdxxhxxb200107035.aspx |
| 出版者 | 高等学校化学学报 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/20.500.11897/81117]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷晓钧,陈海峰,刘忠范. STM热化学烧孔方式的信息存储--写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响, STM Thermochemical Hole Burning Memory——Influence of Pulse Voltage and Duration on Hole Size. 2001-01-01. |
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