| 铜箔上扭转双层石墨烯的控制生长 | |
| 王欢 ; 尹建波 ; 彭海琳 ; 刘忠范 | |
| 2014 | |
| 关键词 | 双层扭转石墨烯 规则六边形 LPCVD |
| 英文摘要 | 双层石墨烯的电学、光学等性质会随着两层石墨烯之间的扭转角度、堆垛方式的不同而发生变化。不同于AB堆垛的双层石墨烯,扭转的双层石墨烯会保持单层石墨烯狄拉克锥的电子能带能结构,并且伴随范霍夫奇点的出现[1]。铜箔上的化学气相沉积(CVD)方法被作为可控制备大面积的单双层石墨烯的主要方法而被广泛使用[2]。基于此,我们报道了一种在铜箔上利用低压CVD(LPCVD)生长规则六边形的双层扭转石墨烯。而我们通过改善一系列的生长条件如铜箔的退火氛围、退火时间以及氢气甲烷比均可以获得大单晶并且形状规则的双层扭转石墨烯。两层石墨烯之间的扭转角度可以方便地通过单双层石墨烯规则六边形边界的相对错位获得,这与透射电镜...; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 出处 | 知网 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/20.500.11897/79147]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王欢,尹建波,彭海琳,等. 铜箔上扭转双层石墨烯的控制生长. 2014-01-01. |
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