| 单分子磁体慢磁弛豫现象的理论研究 | |
| 王炳武 ; 张义权 ; 高琛 ; 陈志达 ; 高松 | |
| 2014 | |
| 关键词 | 磁弛豫 单分子 磁存储 台阶状 合成分子 几何结构参数 纳米磁 磁有序 耦合常数 磁滞回线 |
| 英文摘要 | 由于单分子磁体、单链磁体在单分子的尺度上表现出宏观磁体所具有磁弛豫行为,在低温下具有台阶状的磁滞回线,在超高密度磁存储,量子计算等方面具有潜在的应用价值,所以是近20年来无机化学、配位化学研究领域的热点之一[1,2]。对于磁有序材料,通常用密度泛函结合破损态的方法研究磁耦合常数与几何结构参数的关系。但是对于具有慢磁弛豫行为的单分子磁体,由于零场分裂和旋轨耦合效应,需要用更精确的方法计算分子的基态和低激发态电子结构。在本文中,我们用多种理论计算方法,如CSSSCF、CASPT2等,研究了单分子磁体、单链磁体和单离子磁体的磁构关系,为理性设计合成分子纳米磁体提供了理论基础。; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 出处 | 知网 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/20.500.11897/78874]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王炳武,张义权,高琛,等. 单分子磁体慢磁弛豫现象的理论研究. 2014-01-01. |
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