| 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构; 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构 | |
| 翟耀 ; 陈少武 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010157655.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构，该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4)，其中，第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F-P谐振腔(7)；第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F-P谐振腔(8)；该第一F-P谐振腔(7)和该第二F-P谐振腔(8)构成级联F-P谐振腔；当光波波长同时等于级联F-P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F-P谐振腔。本发明利用级联F-P谐振腔中的双光子吸收效应，实现了全光逻辑与功能。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010157655.1 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21941]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翟耀,陈少武. 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构, 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构. CN201010157655.1. |
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