锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法

	锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法
	孔雯雯; 常爱民; 王军华; 姚金城
	2017-06-20
著作权人	中国科学院新疆理化技术研究所
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源，草酸二乙脂作为反应沉淀剂，氨水或氢氧化钠作为配位剂，进行化学沉淀反应，然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后得到锰、镍、钴基二元或三元热敏电阻粉体材料。该方法具有操作简便、成本低、周期短、产率高的特点，所得热敏电阻粉体为尖晶石结构，粒径小、形状好、分散性好、品质好。
申请日期	2017-03-13
内容类型	专利
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6409]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	孔雯雯,常爱民,王军华,等. 锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法. 2017-06-20.