偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途 | |
潘世烈; 陈幸龙; 张方方 | |
2018-08-21 | |
著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途,该晶体化学式为SrB2O4,分子量为173.24,属于正交晶系,空间群为Pbcn,晶胞参数为a=12.00(5)Å,b=4.33(7)Å,c=6.58 (4)Å,Z=4;采用熔体法、助熔剂法、坩埚下降法或热交换法生长晶体,该偏硼酸锶双折射晶体为负双轴晶体,透过范围为170‑3300nm,双折射率在0.10‑0.35之间;该晶体可用于红外‑可见‑紫外‑深紫外波段,用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜等偏振分束棱镜和光隔离器、光束位移器等光学元件,在光学、激光光刻和光通讯领域有重要应用。 |
申请日期 | 2018-03-15 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6345] |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘世烈,陈幸龙,张方方. 偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途. 2018-08-21. |
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