| 题名 | InGaAs单光子雪崩光电二极管研究 |
| 作者 | 曹思宇 |
| 答辩日期 | 2018-05-24 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 李传波 |
| 关键词 | 雪崩光电二极管 理论与仿真分析 电荷层 隧穿效应 单光子雪崩光电二极管 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2018-05-28 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28368]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹思宇. InGaAs单光子雪崩光电二极管研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论