| 题名 | AlInAsSb高倍增低暗电流雪崩光电二极管 |
| 作者 | 吕粤希 |
| 答辩日期 | 2018-05-24 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 牛智川 ; 徐应强 |
| 关键词 | 分子束外延 Alinassb 数字合金 雪崩光电二极管 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28456]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕粤希. AlInAsSb高倍增低暗电流雪崩光电二极管[D]. 北京. 中国科学院大学. 2018. |
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