SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究

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	SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究
	沈海波 ; 郭亨群 ; 徐骏 ; 陈坤基 ; 王启明
刊名	半导体技术
	2010
卷号	35 期号:9 页码:877-880，938
中文摘要	采用射频磁控反应溅射技术,以Er_2O_3和Si为靶材,制备了SiO_x:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er~(3+)在 1 530, 1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er~(3+)的发光. 研究了退火温度和时间对SiO_x:Er薄膜光致发光的影响,发现Er_2O_3与Si面积比为1:1时, 1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件. 采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV. 对3种不同Er_2O_3与Si面积比的SiO_x:Er薄膜材料进行研究,得到Er_2O_3与Si面积比为1:3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展"973"计划,集成光电子国家重点联合实验室开放课题
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21518]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	沈海波,郭亨群,徐骏,等. SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究[J]. 半导体技术,2010,35(9):877-880，938.
APA	沈海波,郭亨群,徐骏,陈坤基,&王启明.(2010).SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究.半导体技术,35(9),877-880，938.
MLA	沈海波,et al."SiO_x:Er薄膜材料光致发光特性的研究".半导体技术 35.9(2010):877-880，938.