246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制

	246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
	陈良惠; 赵德刚; 颜廷静
刊名	红外与激光工程
	2011
卷号	40 期号:1 页码:32-35
中文摘要	设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225~255 nm,峰值波长为246nm.材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%.零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W.并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目,国家863计划资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21700]
专题	半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠,赵德刚,颜廷静. 246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制[J]. 红外与激光工程,2011,40(1):32-35.
APA	陈良惠,赵德刚,&颜廷静.(2011).246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制.红外与激光工程,40(1),32-35.
MLA	陈良惠,et al."246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制".红外与激光工程 40.1(2011):32-35.