铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析

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	铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析
	汪宇; 黄添懋; 张汉; 杨晓丽; 施辉伟; 尹志岗; 张兴旺
刊名	中国科学. 技术科学
	2010
卷号	40 期号:11 页码:1378-1382
中文摘要	采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划("973"计划),北京市自然科学基金,浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21650]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	汪宇,黄添懋,张汉,等. 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析[J]. 中国科学. 技术科学,2010,40(11):1378-1382.
APA	汪宇.,黄添懋.,张汉.,杨晓丽.,施辉伟.,...&张兴旺.(2010).铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析.中国科学. 技术科学,40(11),1378-1382.
MLA	汪宇,et al."铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析".中国科学. 技术科学 40.11(2010):1378-1382.