二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析

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	二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析
	徐波; 彭银生; 梁松; 叶小玲; 杨晓红
刊名	物理学报
	2010
卷号	59 期号:10 页码:7073-7077
中文摘要	研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137nm,谱线半高宽度约为1nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21638]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	徐波,彭银生,梁松,等. 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析[J]. 物理学报,2010,59(10):7073-7077.
APA	徐波,彭银生,梁松,叶小玲,&杨晓红.(2010).二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析.物理学报,59(10),7073-7077.
MLA	徐波,et al."二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析".物理学报 59.10(2010):7073-7077.