MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜

	MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜
	牛智川; 徐应强
刊名	功能材料
	2010
卷号	41 期号:4 页码:734-736
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
公开日期	2011-08-04
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21456]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,徐应强. MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜[J]. 功能材料,2010,41(4):734-736.
APA	牛智川,&徐应强.(2010).MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜.功能材料,41(4),734-736.
MLA	牛智川,et al."MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜".功能材料 41.4(2010):734-736.