Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析

	Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析
	陈德明 ; 徐刚
	2007-11-15
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议日期	2007-11-15
会议地点	武汉
关键词	磁控溅射氧化亚铜光学带隙铜氧化物太阳电池
中文摘要	采用反应射频磁控溅射法,在氩-氧氛围制备Cu-O体系薄膜。在溅射功率、氩气流量一定的条件下,通过改变氧分压,得到不同成份的Cu-O体系薄膜。在氧分压较小条件下,薄膜中主要以金属铜为主,存在少量的Cu2O,随着氧分压的增加,Cu2O成分增加,在氧分压1.42×10-2pa时得到单相Cu2O薄膜。随着氧分压继续增加,Cu2O逐渐转变成CuO.薄膜成份通过X射线分析,薄膜电阻率采用四探针仪测量,薄膜光学特性采用紫外-可见光谱分析,并计算出本次实验所得单相Cu2O光学带隙为2.51eV.
会议主办者	中国仪器仪表学会
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议录出版者	武汉
会议录出版地	武汉
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/8008]
专题	中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈德明,徐刚. Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 武汉. 2007-11-15.