Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究

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	Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究
	梁柱荣 1,2; 毕卓能 ; 靳虎 1,2; 梅凤娇 1; 徐雪青1,2
刊名	新能源进展
	2015
期号	4 页码:245-250
关键词	量子点太阳电池 Al2o3 界面修饰电子复合
其他题名	Influence of Al2O3 Buffer Layer on Interface Charge Recombination in CdSe Quantum Dot-sensitized Solar Cells
英文摘要	Quantum dot-sensitized solar cells（QDSSCs） have attracted great interest owing to their low fabrication cost. However, the power conversion efficiency（PCE） is relatively low because of the high density of surface states in quantum dots（QDs）, and severe su
资助机构	国家自然科学基金面上项目（21073193,21273241）
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16253]
专题	中国科学院广州能源研究所太阳能系统应用实验室
作者单位	1.中国科学院广州能源研究所,广州510640 2.中国科学院大学,北京100049
推荐引用方式 GB/T 7714	梁柱荣,毕卓能,靳虎,等. Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究[J]. 新能源进展,2015(4):245-250.
APA	梁柱荣,毕卓能,靳虎,梅凤娇,&徐雪青.(2015).Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究.新能源进展(4),245-250.
MLA	梁柱荣,et al."Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究".新能源进展 .4(2015):245-250.