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	掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内的质子导电性
	邹智毅[1]; 魏小兰[1]; 李丽坤[1]; 付珍[1]; 方军[2]; 古国榜[1]
刊名	《广州化工》
	2010
页码	54-56
关键词	掺磷中孔SiO2 中温 质子电导
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2249566
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]华南理工大学化学与化工学院,广东广州510640 2.[2]厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系,福建厦门361005
推荐引用方式 GB/T 7714	邹智毅[1],魏小兰[1],李丽坤[1],等. 掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内的质子导电性[J]. 《广州化工》,2010:54-56.
APA	邹智毅[1],魏小兰[1],李丽坤[1],付珍[1],方军[2],&古国榜[1].(2010).掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内的质子导电性.《广州化工》,54-56.
MLA	邹智毅[1],et al."掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内的质子导电性".《广州化工》 (2010):54-56.

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