一种中空纳米氧化硅球的制备方法; 一种中空纳米氧化硅球的制备方法
杨启华 ; 刘 健 ; 李 灿 ; 张 磊
2009-01-21
专利国别中国
专利号CN200710012158.0
专利类型发明
关键词物理化学
权利人中国科学院大连化学物理研究所
中文摘要本发明涉及氧化硅球颗粒,具体地说是一种中空纳米氧化硅球的制备方法,在室温近中性的仿生体系下,以三嵌段共聚物F127为结构导向剂,控制水解的油溶硅源与三嵌段聚合物F127以及无机电解质之间的相互作用,通过聚合物胶束制备,硅源水解聚合,水热晶化,干燥,脱出结构导向剂等步骤,得到中空球形颗粒,其大小可在10~20nm范围内连续可调;壳壁厚度在5~10nm范围内可调。合成的纳米中空球具有大比表面及大孔容,颗粒粒度均一且分散性好;纳米中空球之间可以形成多级结构;具有高机械稳定性和热稳定性等诸多优点。
是否PCT专利
学科主题物理化学
公开日期2009-01-21 ; 2011-07-11
申请日期2007-07-18
语种中文
资助信息大连化物所
专利证书号带填写
专利申请号CN200710012158.0
专利代理马驰 ; 周秀梅
内容类型专利
源URL[http://159.226.238.44/handle/321008/107881]  
专题大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨启华,刘 健,李 灿,等. 一种中空纳米氧化硅球的制备方法, 一种中空纳米氧化硅球的制备方法. CN200710012158.0. 2009-01-21.
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