| 过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 | |
| 张禹[1]; 韦习成[2]; 余运龙[3]; 张浩[4] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2017 | |
| 卷号 | 46页码:867-873 |
| 关键词 | 过渡金属二硫族化合物 FET 器件 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2188213 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108 2.上海大学材料科学与工程学院,上海 200072 3.有机光电子福建省高校工程研究中心, 福州 350108 4.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072 5.福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108 6.有机光电子福建省高校工程研究中心, 福州 350108 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张禹[1],韦习成[2],余运龙[3],等. 过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展[J]. 人工晶体学报,2017,46:867-873. |
| APA | 张禹[1],韦习成[2],余运龙[3],&张浩[4].(2017).过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展.人工晶体学报,46,867-873. |
| MLA | 张禹[1],et al."过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展".人工晶体学报 46(2017):867-873. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论