| 退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响 | |
| 杨祥[1]; 徐兵[2]; 周畅[3]; 张建华[4]; 李喜峰[5] | |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 2019 | |
| 卷号 | 40页码:209-214 |
| 关键词 | 退火温度 溶液法 薄膜晶体管 WSnZnO |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2163132 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.[1]上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072 2.上海大学 上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台, 上海 200072[2]上海微电子装备集团有限公司,上海,200072[3]上海微电子装备集团有限公司,上海,200072[4]上海大学 上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台,上海,200072[5]上海大学 上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台, 上海 200072 3.上海微电子装备集团有限公司, 上海 200072 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨祥[1],徐兵[2],周畅[3],等. 退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响[J]. 发光学报,2019,40:209-214. |
| APA | 杨祥[1],徐兵[2],周畅[3],张建华[4],&李喜峰[5].(2019).退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响.发光学报,40,209-214. |
| MLA | 杨祥[1],et al."退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响".发光学报 40(2019):209-214. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论