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	Advancements in organic nonvolatile memory devices
	Dai,YH; Li,DM; Ji,ZY; Shang,LW; Liu,M; Liu,X
刊名	Chinese Science Bulletin
	2011
卷号	Vol.56 No.30页码:3178-3190
关键词	FIELD-EFFECT TRANSISTORS NEGATIVE-DIFFERENTIAL-RESISTANCE POLYMERIC GATE ELECTRET COMPLEX THIN-FILM BISTABLE DEVICES NANOIMPRINT LITHOGRAPHY MULTILEVEL CONDUCTANCE CONJUGATED POLYMER SOLAR-CELLS HALF-PITCH
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2160071
专题	安徽大学
作者单位	1.Anhui Univ, Sch Elect & Informat Engn, Hefei 230039, Peoples R China 增强组织信息的名称 Anhui University 2.Chinese Acad Sci, Lab Nanofabricat & Novel Device Integrat, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China 增强组织信息的名称 Chinese Academy of Sciences Institute of Microelectronics, CAS
推荐引用方式 GB/T 7714	Dai,YH,Li,DM,Ji,ZY,et al. Advancements in organic nonvolatile memory devices[J]. Chinese Science Bulletin,2011,Vol.56 No.30:3178-3190.
APA	Dai,YH,Li,DM,Ji,ZY,Shang,LW,Liu,M,&Liu,X.(2011).Advancements in organic nonvolatile memory devices.Chinese Science Bulletin,Vol.56 No.30,3178-3190.
MLA	Dai,YH,et al."Advancements in organic nonvolatile memory devices".Chinese Science Bulletin Vol.56 No.30(2011):3178-3190.

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