Effects of hydrogen impurities on Ge1−x Mnx semiconductors | |
X. L. Wang ; M. Y. Ni ; Z. Zeng ; H. Q. Lin | |
刊名 | EPL |
2009 | |
期号 | 87 |
合作状况 | 其它 |
学科主题 | 计算材料物理 |
收录类别 | SCI |
公开日期 | 2010-02-03 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/2995] |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | X. L. Wang,M. Y. Ni,Z. Zeng,et al. Effects of hydrogen impurities on Ge1−x Mnx semiconductors[J]. EPL,2009(87). |
APA | X. L. Wang,M. Y. Ni,Z. Zeng,&H. Q. Lin.(2009).Effects of hydrogen impurities on Ge1−x Mnx semiconductors.EPL(87). |
MLA | X. L. Wang,et al."Effects of hydrogen impurities on Ge1−x Mnx semiconductors".EPL .87(2009). |
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