导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法
徐书生; 刘维民; 郝俊英; 刘金玉
2018-03
著作权人中国科学院兰州化学物理研究所
专利号201810261644.4
国家中国
文献子类发明专利
语种中文
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/24808]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
作者单位中国科学院兰州化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐书生,刘维民,郝俊英,等. 导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法. 201810261644.4. 2018-03-01.
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