InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应

doi:10.11972/j.issn.1001-9014.2017.06.009

CORC > 上海技术物理研究所 > 中国科学院上海技术物理研究所 > 上海技物所

	InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应
	靳川; 许佳佳; 黄爱波; 徐志成; 周易; 白治中; 王芳芳; 陈建新; 陈洪雷; 丁瑞军
刊名	红外与毫米波学报
	2017
期号	6 页码:688-693
关键词	γ辐照实时辐照效应长波红外探测器 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
DOI	10.11972/j.issn.1001-9014.2017.06.009
英文摘要	研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在60Co源γ辐照下器件的电流—电压（I-V）特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad（Si）辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12120]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	靳川,许佳佳,黄爱波,等. InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应[J]. 红外与毫米波学报,2017(6):688-693.
APA	靳川.,许佳佳.,黄爱波.,徐志成.,周易.,...&何力.(2017).InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应.红外与毫米波学报(6),688-693.
MLA	靳川,et al."InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应".红外与毫米波学报 .6(2017):688-693.