| 题名 | 铁电聚合物多层膜制备及其性能研究 |
| 作者 | 王建禄 |
| 答辩日期 | 2010-01-13 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | 郎缪尔-布拉吉特方法 P（vdf-trfe）薄膜 P（vdf-trfe-cfe）薄膜 椭圆偏振光谱 介电调谐 介电弛豫 尺寸效应 热释电红外探测器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本文利用LB技术生长了P(VDF-TrFE)及P(VDF-TrFE-CFE)薄膜，并对其结晶，光学及介电铁电特性进行了研究，并将材料用于红外探测器。具体地：1.研究P(VDF-TrFE)LB薄膜结晶特性，发现厚度仅为几个纳米薄膜结晶特性优良。变温XRD，在360K观察到铁电顺电相变。获得薄膜光学参数，并得出单层膜厚约2nm。薄膜EC和频率符合关系， ，n=0.05735~0.07259。EC和薄膜厚度符合JKD关系。120nm薄膜100Hz，Pr达6.8µC/cm2，EC约100MV/m。介电温谱分析，得到薄膜相变温度和厚度关系，发现薄膜相变温度随膜厚增加而降低。2 通过P(VDF-TrFE-CFE)LB薄膜结晶特性研究，发现厚度为6nm以上薄膜结晶特性优良。获得薄膜光学参数，测得单层薄膜厚度约2.8nm。对薄膜介电特性研究发现：（a）薄膜属典型弛豫铁电体。（b）薄膜存在界面“死层”，厚度约为5nm。发现薄膜小于120nm，Ea随厚度增加降低，TVF随膜厚增加增大。（c）发现1k Hz，250MV/m薄膜介电调谐率达80%以上。3研究了P(VDF-TrFE-CFE)/P(VDF-TrFE)LB超晶格薄膜的结晶特性以及铁电、介电特性。发现超晶格薄膜间存在应力；薄膜剩余极化符合静电学模型，剩余极化及矫顽场随薄膜生长周期增大而减小；发现薄膜相变温度与生长周期变化规律。4 P（VDF-TrFE）LB薄膜成功制备了单元红外热释电探测器件。系统考察了器件响应特性。器件探测率达到5.2×108cmHz1/2W-1。器件对电烙铁，热水杯及人手实现了室温二维扫描成像。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5184]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建禄. 铁电聚合物多层膜制备及其性能研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
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