| 题名 | 氮化镓基肖特基光电器件的研究 |
| 作者 | 储开慧 |
| 答辩日期 | 2010-01-19 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 李向阳 |
| 关键词 | Gan基肖特基器件 器件制备 电容特性 真空紫外 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 在氮化镓 (GaN) 基宽禁带半导体材料的探测器中， Schottky器件由于制备简单、响应速度快、响应平滑等的优点具有广泛的应用前景。有必要开展GaN基肖特基器件方面的研究。本文从制备性能优良的GaN基肖特基器件的需求出发，在设计和制备出单元的GaN(可见盲)、Al0.45Ga0.55N(日盲)肖特基器件的基础上，研制出国际上目前还未见报道的Si衬底上的AlN(真空紫外)肖特基器件、蓝宝石衬底上的AlN肖特基器件、以及512×1的GaN肖特基线列探测器。为提高器件性能，研究器件中漏电流的主要来源，我们尝试了用快速热处理的方法在金属和GaN基材料界面生长一层氧化层的方法，来提高肖特基的势垒高度从而提高器件性能；研制了正、背照射时日盲型肖特基器件，发现背照射时的肖特基器件在截止波长之后的响应要比正照射时的器件小很多。由于肖特基器件的电容特性可以肖特基接触及半导体材料的参数，我们也对可见盲和日盲的肖特基器件的电容特性进行了研究。论文中用TCAD软件仿真了测试频率、器件的串联电阻以及材料中的深能级对肖特基二极管的电容特性的影响；并对我们的实验现象——在Au/i-GaN肖特基器件的正向电容－电压特性曲线中，出现了峰和负值电容，而Au/i-Al0.45Ga0.55N中则既没有峰也没有负值电容的出现，提出了合理的理论解释。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5172]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 储开慧. 氮化镓基肖特基光电器件的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
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