| 题名 | 三元铁电多层膜的制备、结构表征及物性研究 |
| 作者 | 胡古今 |
| 答辩日期 | 2008-01-18 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 戴宁 |
| 关键词 | 铁电多层膜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文涉及以下几个方面的研究内容：1. 采用化学溶液沉积法，成功制作了全PZT基平板光波导；通过求解波导模式本征方程，分别得到了各层的折射率和膜厚参数。2. 独创了基于单一化学溶液制备一维铁电光子晶体的技术。利用该技术制备的三元铁电多层膜具有高反射率带，反射带的位置及宽度可通过改变工艺参数和外加电场进行调控，表现出作为介质布拉格反射镜的良好性能。3. 在铁电多层膜中的适当位置引入同组分的一个或两个缺陷层，成功构建了单模光学微腔或耦合光学微腔。 4. 通过对多层膜截面形貌随热处理温度演化的分析，阐明了周期性铁电多层膜的形成机制。5 PbZr0.38Ti0.62O3多层膜具有铁电增强效应，在100 V极化电压下，平均剩余极化强度达42.3 µC/cm2，大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果。6. Mn 掺杂改性不仅显著降低Ba0.9Sr0.1TiO3多层膜的漏电流还能有效改善多层膜的截面形貌，可获得光滑平整的截面。7. PbZr0.38Ti0.62O3多层膜中一个Ti4+通过俘获一个电子或释放一个空穴变成Ti3+ ，并和VO¨相互作用产生一个缺陷偶极子Ti3+-VO¨；同样，极性缺陷 复合体可通过Ti3+俘获一个空穴或释放一个电子而解离；通过外加电场控制半导体—金属界面势垒高度以控制电荷注入种类和数量，实现了PbZr0.38Ti0.62O3多层膜高频介电损耗的人工调控。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4882]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡古今. 三元铁电多层膜的制备、结构表征及物性研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
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