| 题名 | ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究 |
| 作者 | 郭靖 |
| 答辩日期 | 2006-06-01 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 胡晓宁 |
| 关键词 | Hgcdte Icp Polymer Loading Effect Etch Lag 刻蚀损伤 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 纵向集成的HgCdTe红外双色焦平面探测器是第三代红外焦平面探测器的发展方向。本文主要研究了制备红外双色焦平面探测器的关键工艺之一——高密度、大深宽比的微台面列阵成形技术。本研究中微台面的形成采用的是ICP（Inductively Coupled Plasma）干法刻蚀技术。本文研究了ICP刻蚀HgCdTe的几个重要问题，为将ICP应用于红外双色探测器的制备进行了准备工作。利用微区XPS（X-Ray Photoelectron Spectroscopy）和SEM（Scanning Electron Microscope）等测试手段，分析了ICP刻蚀HgCdTe中polymer的生成机理及抑制方法，发现腔体压力、刻蚀气体、掩模方法等会影响polymer的生成，并且发现不同的polymer形态对应于不同的生成机理。研究了ICP刻蚀HgCdTe的负载效应（Loading Effect）和微负载效应（Etch Lag），发现在刻蚀面积较小时Loading Effect已经出现，得到了刻蚀速率随刻蚀面积增大而变化的经验公式；研究发现Etch Lag发生的与刻蚀深宽比直接相关，找到了Etch Lag效应开始起作用的临界深宽比AR0。利用LBIC（laser beam induced current）检测ICP刻蚀HgCdTe的刻蚀损伤，找到了损伤较小或无损伤的刻蚀条件。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4566]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭靖. ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究[D]. 中国科学院研究生院. 2006. |
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