| 题名 | 位错对碲镉汞器件影响的研究 |
| 作者 | 王妮丽 |
| 答辩日期 | 2005-05-27 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 龚海梅 |
| 关键词 | 位错 少子寿命 复合 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 碲镉汞是良好的红外探测器材料，如何提高器件性能是研制红外探测器首先需要考虑的问题。本文从材料、器件以及工艺等方面对不同位错密度下HgCdTe光导器件和光伏器件进行了研究，并对位错对HgCdTe器件性能产生影响的机理进行分析。通过对位错的分析，可以对器件工艺提出改进的意见，以提高器件的成品率。 本文首先对HgCdTe材料进行腐蚀研究，对材料不同位错密度的部分，经过不同时间的腐蚀，得到一个较完整的位错密度的腐蚀过程。发现随腐蚀时间增加，位错密度基本保持不变，而位错蚀坑尺寸增大。 本文测量了不同位错密度下，HgCdTe光导器件的电子浓度、电子迁移率、少子寿命。发现位错对HgCdTe材料的电学参数都产生较大的影响，进而影响到器件的性能。研究发现，随着位错密度的上升，电子浓度变化不大，但是电子迁移率下降，少子寿命下降。并据此建立了新的位错模型对位错如何影响器件性能进行分析。 本文通过研究不同位错密度下HgCdTe光伏器件的优值因子 变化，发现位错对光伏器件电学性能产生较大的作用，从而影响到光伏器件的性能。位错对优值因子 产生巨大的作用，尤其在低温77K，对较大的位错密度来说， 随位错密度的平方而减小。我们利用Vishnu提出的位错模型解释了位错对 的影响。位错对 因子影响建立在线位错贯穿整个晶片的模型上。这个模型假设位错均匀分布于整个器件，并对器件的性能产生较大的影响。我们着重计算了单个位错的电阻和位错的复合速率，通过拟合计算，发现模型与实验数据拟合的较好。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4304]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王妮丽. 位错对碲镉汞器件影响的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论