| 题名 | 航天用InGaAs探测器的台面工艺和M-S接触研究 |
| 作者 | 李萍 |
| 答辩日期 | 2005-05-10 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 龚海梅 |
| 关键词 | Inp 湿法腐蚀 欧姆接触 界面 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 铟镓砷（InGaAs）是制备短波红外光电探测器的优良材料之一，在光纤通讯需求的推动下，InGaAs的材料和器件技术有了很大的发展。国外已成功的将InGaAs红外焦平面应用在航天遥感领域，但国内主要应用于光纤通讯，不能满足航天遥感领域的需求。随着我国空间遥感的发展，对短波红外探测的需求越来越多，性能要求越来越高，因此制备InGaAs探测器有着重要的应用背景和学术意义。本论文工作主要围绕遥感用InGaAs光电探测器的研制开展，针对满足空间遥感领域的需求，以探测器的制备工艺为主要内容，主要研究了台面的腐蚀和接触电极的工艺。主要内容如下： 研究了不同的成分和组分的腐蚀溶液，对InGaAs、InP材料的腐蚀，分析认为酒石酸腐蚀液与H2SO4:H2O2:H2O 腐蚀液相比，前者具有腐蚀速率适中，表面清洁度良好的优点。 研究了p-InP和n-InP的接触，测量了在不同的退火条件下的比接触电阻。结果表明Au/n-InP在未退火条件下即为欧姆接触，在400℃、10min退火条件下比接触电阻降低了大约两个数量级；AuZn/p-InP和AuZnAu/p-InP的接触中发现了Au与InP的黏附性要比Zn与InP的黏附性好，AuZnAu/p-InP的比接触电阻要比AuZn/p-InP的低，在480℃、15s退火条件得到最小比接触电阻Rc=1.4×10-5Ω•cm2。 利用扫描电子显微镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）等研究了接触的表面和界面特性，接触表面在未退火条件下就有In扩散到金属表面，退火促使扩散加剧；在退火条件下金属-半导体界面形成P的聚集，在界面形成Au2P3化合物，其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV。在AuZn/p-InP和AuZnAu/p-InP的接触中Zn起着两个作用：一个是在退火过程中扩散到InP的表面，使表面形成高掺杂层，有利于欧姆接触的形成；另一个是它可以增加Au2P3的功函数，促使了欧姆接触的形成。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4300]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李萍. 航天用InGaAs探测器的台面工艺和M-S接触研究[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
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