| Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology | |
| Wang R(王仍) | |
| 刊名 | Chinese Journal of Semiconductors
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 29期号:5页码:940-943 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-08 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1291]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang R. Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(5):940-943. |
| APA | 王仍.(2008).Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology.Chinese Journal of Semiconductors,29(5),940-943. |
| MLA | 王仍."Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology".Chinese Journal of Semiconductors 29.5(2008):940-943. |
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