刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响

CORC > 宁波材料技术与工程研究所 > 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 > 2017专题

	刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响
	李晓伟; 吴晓春; 谢仕芳; 郭婷; 左潇; 郭鹏; 汪爱英
刊名	表面技术
	2017
期号	04 页码:143-149
英文摘要	目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构。结果辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积。随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低。结论相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜。这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力。
公开日期	2017-12-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13401]
专题	2017专题
推荐引用方式 GB/T 7714	李晓伟,吴晓春,谢仕芳,等. 刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响[J]. 表面技术,2017(04):143-149.
APA	李晓伟.,吴晓春.,谢仕芳.,郭婷.,左潇.,...&汪爱英.(2017).刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响.表面技术(04),143-149.
MLA	李晓伟,et al."刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响".表面技术 .04(2017):143-149.