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	一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法; 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法; 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法; 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法
	胡皓阳; 金敏; 徐静涛; 刘柱; 蒋俊; 江浩川
	2017-05-31
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN106757369A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明提供了一种短温区垂直移动炉。该加热炉仅采用铁铬铝电热丝与热电偶一套控制系统，因此炉体结构简单、造价低廉；而且，加热区的垂直高度易于控制，形成短温区加热炉；并且，由于炉体上下开口，在空气的对流作用下，加热区在垂直方向的温度分布呈中间向上下两侧逐渐降低的趋势，有利于减小熔区长度，增加原料区熔提纯效果，降低晶体内部杂质含量。另外，该加热炉支撑石英坩埚的支座选用碳化硅材料，利用碳化硅的高热导率极大促进了晶体生长界面结晶潜热的释放，从而获得有利于单晶生长的微凸固液界面。利用该加热炉生长CdTe晶体有利于消除Te沉淀、夹杂和孪晶等缺陷，提高了CdTe单晶利用率。
公开日期	2017-05-31
申请日期	2016-12-14
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15577]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	胡皓阳,金敏,徐静涛,等. 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法, 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法, 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法, 一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法. CN106757369A. 2017-05-31.

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