| 题名 | 非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究 |
| 作者 | 缪国庆 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 导师 | 金亿鑫 |
| 关键词 | 金属有机化学气相淀积 铟镓砷 光致发光 拉曼散射 红外探测器 |
| 其他题名 | Investigation on Growth and Characterization of InGaAs for IJncooled Infrared Detector and Focus Plane Array |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 非致冷红外探测器及其列阵是近年红外深测器发展的一个新趋势。III-V族InoaAs半导体材料特别是与InP衬底匹配的In053Ga0.47As己经表明它是用于0.9μm-1.7μm近红外波段的一种首选的非致冷红外探测器材料。InhAS红外探测器及其焦平面列阵主要应用在成像和光谱两方面。本论文采用自行研制的LPMOCVD系统生长了InxGa；＿。As／InP材料，详细研究u＊OCVD生长条件对In0.53GB0.47As材料性质的影响，并且对材料性质进厅了表征研究。实验表明：生长温度是一个重要的生长参数，它对外延层的表面形貌、组分、结晶质量。迁移率、我流子浓度有着很大影［响。在上长温度为630℃-650℃，能够得至IJ高质量的In0.53G30.47As材料。V／III比对外延层的表面形貌有较大影响，增大V八H比有利于提高材料的结品质民随着V/III比增加，迁移率升高；本证载流于浓度随着V／＊比减少而降低；AsH2和PH2转换时问在IOty到对f少之间可以获得质量较好的1；。＊。As外延层；在InP缓冲层厚度为OZuffi时迁移率达到最大，载流子浓度达到最低。本文研究了生长条件对1nG。批室温和低温门OK）光致发光谱的影响。在上长流）要为550℃时，InGaAs的10K光致发光谱是由两个峰组成，在生长温度为"630℃和650℃时；样品的光致发光谱中变为只有一个峰，而且在650℃发光强度比"630℃强。发光谱的半峰竟也是650℃最窄。当生长温度到达680℃时；光致发光谱变成出两个峰组成。讨论In0.53Ga0.47As/Inp的受激发强度和变温先过发光谱，计算了不同温度下的In0.53Ga0.47As光致发3C谱峰值能量。本文研究了生长条件对InGaAs微区曼散射光谱的影响。在拉曼散射中出现的FLAI克标志有序和无序程度不同。测量了In0.53Ga0.47As／InP材料的变温拉曼散射谱，从拉曼谱中得GaAS的LO的偏移计算了个问温度下In0.53Ga0.47As外延层所受到的应力。最后，采用LPMOCVD技术制备InGaAs红外焦平面列阵器件结构材料，对器件结构材料进行了表征。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 110 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.165.120//handle/181722/1633]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆. 非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究[D]. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所. 2003. |
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