基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件

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	基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件
	张峰1,2 ; 刘畅 2; 黄鲁 2; 吴宗国1
刊名	浙江大学学报（工学版)
	2017-08
卷号	51 期号:8 页码:1676-1680
关键词	静电放电(Esd) 双向可控硅(Ddscr) Tcad仿真传输线脉冲测试二次击穿电流
英文摘要	针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ia.ac.cn/handle/173211/15345]
专题	自动化研究所_国家专用集成电路设计工程技术研究中心
作者单位	1.中国科学院自动化研究所 2.中国科学技术大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张峰,刘畅,黄鲁,等. 基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件[J]. 浙江大学学报（工学版),2017,51(8):1676-1680.
APA	张峰,刘畅,黄鲁,&吴宗国.(2017).基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件.浙江大学学报（工学版),51(8),1676-1680.
MLA	张峰,et al."基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件".浙江大学学报（工学版) 51.8(2017):1676-1680.