一种大面积MoS2薄膜生长方法

	一种大面积MoS2薄膜生长方法
	冯双龙; 聂长斌; 魏兴战; 陆文强; 史浩飞; 杜春雷
	2018-06-29
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2015109910882
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种大面积MoS₂薄膜生长方法，采用化学气相沉积法制备大面积MoS₂薄膜，具体步骤如下：1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置，将SiO₂基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方，封闭连接管路；2)在封闭的石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空，打开炉子加热开关，升温至700‑800℃，保温10分钟，关闭加热，冷却至室温，即可获得尺寸范围50‑300微米的MoS₂薄膜。本发明提供的大面积MoS₂薄膜的制备方法，可以大大缩短制备薄膜的反应时间，并且制备出的形貌均匀，所制备的MoS₂薄膜可以应用于光电探测器件、逻辑电路、电子元器件等领域。
分类号	C23c16/30(2006.01)i
申请日期	2015-12-24
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6369]
专题	微纳制造与系统集成研究中心
作者单位	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	冯双龙, 聂长斌,魏兴战,等. 一种大面积MoS2薄膜生长方法. 2015109910882. 2018-06-29.